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23.釷核發(fā)生衰變生成鐳核并放出一個(gè)粒子.設(shè)該粒子的質(zhì)量為.電荷量為q.它進(jìn)入電勢差為U的帶窄縫的平行平板電極和間電場時(shí).其速度為.經(jīng)電場加速后.沿方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場.垂直平板電極.當(dāng)粒子從點(diǎn)離開磁場時(shí).其速度方向與方位的夾角.如圖所示.整個(gè)裝置處于真空中.(1)寫出釷核衰變方程,(2)求粒子在磁場中沿圓弧運(yùn)動的軌道半徑R, 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

釷核發(fā)生衰變生成鐳核并放出一個(gè)粒子.設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它進(jìn)入電勢差為U的帶窄縫的平行平板電極S1和S2間電場時(shí),其速度為v0,經(jīng)電場加速后,沿Ox方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場,Ox垂直平板電極S2,當(dāng)粒子從P點(diǎn)離開磁場時(shí),其速度方向與Ox方向的夾角θ=60°,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中.

(1)寫出釷核衰變方程;

(2)求粒子在磁場中沿圓弧運(yùn)動的軌道半徑R;

(3)求粒子在磁場中運(yùn)動所用的時(shí)間t.

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釷核發(fā)生衰變生成鐳核并放出一個(gè)粒子.設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它進(jìn)入電勢差為U的帶窄縫的平行平板電極S1和S2間電場時(shí),其速度為v0,經(jīng)電場加速后,沿Ox方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場,Ox垂直平板電極S2,當(dāng)粒子從P點(diǎn)離開磁場時(shí),其速度方向與Ox方向的夾角θ=60°,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中.

(1)寫出釷核衰變方程;

(2)求粒子在磁場中沿圓弧運(yùn)動的軌道半徑R;

(3)求粒子在磁場中運(yùn)動所用的時(shí)間t.

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釷核發(fā)生衰變生成鐳核并放出一個(gè)粒子。設(shè)該粒子的質(zhì)量為、電荷量為q,它進(jìn)入電勢差為U的帶窄縫的平行平板電極間電場時(shí),其速度為,經(jīng)電場加速后,沿方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場,垂直平板電極,當(dāng)粒子從點(diǎn)離開磁場時(shí),其速度方向與方位的夾角,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中。

(1)寫出釷核衰變方程;

(2)求粒子在磁場中沿圓弧運(yùn)動的軌道半徑R;

(3)求粒子在磁場中運(yùn)動所用時(shí)間。

 

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釷核發(fā)生衰變生成鐳核并放出一個(gè)粒子.設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它進(jìn)入電勢差為U的帶窄縫的平行平板電極S1和S2間電場時(shí),其速度為v0,經(jīng)電場加速后,沿Ox方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場,Ox垂直平板電極S2,當(dāng)粒子從P點(diǎn)離開磁場時(shí),其速度方向與Ox方向的夾角θ=60°,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中.

(1)寫出釷核衰變方程;

(2)求粒子在磁場中沿圓弧運(yùn)動的軌道半徑R;

(3)求粒子在磁場中運(yùn)動所用的時(shí)間t.

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釷核發(fā)生衰變生成鐳核并放出一個(gè)粒子。設(shè)該粒子的質(zhì)量為、電荷量為q,它進(jìn)入電勢差為U的帶窄縫的平行平板電極間電場時(shí),其速度為,經(jīng)電場加速后,沿方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場,垂直平板電極,當(dāng)粒子從點(diǎn)離開磁場時(shí),其速度方向與方位的夾角,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中。

(1)寫出釷核衰變方程;
(2)求粒子在磁場中沿圓弧運(yùn)動的軌道半徑R;
(3)求粒子在磁場中運(yùn)動所用時(shí)間。

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