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C.1s-1.5s內(nèi).電勢Q點(diǎn)比P點(diǎn)高 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖甲中通過P點(diǎn)電流的(向右為正)變化規(guī)律如圖乙所示,則(  )

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如圖甲中通過P點(diǎn)電流的(向右為正)變化規(guī)律如圖乙所示,則( 。
A.在t從0.5s~ls,電容器C正在充電
B.0.5s~1s間,電容器C上板帶正電
C.1s~1.5s內(nèi),Q點(diǎn)電勢比P點(diǎn)電勢高
D.1s一1.5s磁場能轉(zhuǎn)化為電場能
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如圖甲中通過P點(diǎn)電流的(向右為正)變化規(guī)律如圖乙所示,則( )

A.在t從0.5s~ls,電容器C正在充電
B.0.5s~1s間,電容器C上板帶正電
C.1s~1.5s內(nèi),Q點(diǎn)電勢比P點(diǎn)電勢高
D.1s一1.5s磁場能轉(zhuǎn)化為電場能

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如圖甲中通過P點(diǎn)電流的(向右為正)變化規(guī)律如圖所示,則 [     ]


  1. A.
    在t從0.5s~1s,電容器C正在充電
  2. B.
    0.5s~1s間,電容器C上板帶正電
  3. C.
    1s~1.5s內(nèi),電勢Q點(diǎn)比P點(diǎn)高
  4. D.
    1s~1.5s磁場能轉(zhuǎn)化為電場能

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如圖甲中通過P點(diǎn)電流的(向右為正)變化規(guī)律如圖所示,則[   ]

A、在t0.5s1s,電容器C正在充電 ;

B0.5s1s間,電容器C上板帶正電

C、1s1.5s內(nèi),電勢Q點(diǎn)比P點(diǎn)高 ;

D1s1.5s磁場能轉(zhuǎn)化為電場能。

 

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