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03×10-10m.提示:(1)由NaCl晶胞結(jié)構(gòu)可知.1molNaCl晶胞中含有4mol NaCl.故在FexO晶體中1mol FexO晶胞中含有4mol FexO.設(shè)FexO的摩爾質(zhì)量為Mg? mol-1.晶胞的體積為V.則有: 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(2013?遼寧一模)[化學(xué)--選修3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
已知R、W、X、Y、Z是周期表中前四凰期元素,它們的原子序數(shù)依次遞增.R的基態(tài)原子中占據(jù)啞鈴形原子軌道的電子數(shù)為1;W的氫化物的沸點(diǎn)比同族其它元素氫化物的沸點(diǎn)高;X2+與W2-具有相同的電子層結(jié)構(gòu);Y元素原子的3p能級處于半充滿狀態(tài);Z+的電子層都充滿電子.請回答下列問題:
(1)寫出Z的基態(tài)原子的外圍電子排布式
3d104s1
3d104s1

(2)R的某種鈉鹽晶體,其陰離子Am-(含R、W、氫三種元素)的球棍模型如圖所示:在Am-中,R原子軌道雜化類型有
SP2、SP3
SP2、SP3
;m=
2
2
.(填數(shù)字)
(3)經(jīng)X射線探明,X與W形成化合物的晶體結(jié)構(gòu)與NaCl的晶體結(jié)構(gòu)相似,X2+的配位原子所構(gòu)成的立體幾何構(gòu)型為
正八面體
正八面體

(4)往Z的硫酸鹽溶液中加入過量氨水,可生成[Z(NH34]SO4,下列說法正確的是
AD
AD

A.[Z(NH34]SO4中所含的化學(xué)鍵有離子鍵、極性鍵和配位鍵
B.在[Z(NH34]SO4中Z2+給出孤對電子,NH3提供空軌道
C.[Z(NH34]SO4組成元素中第一電離能最大的是氧元素
D.SO42-與PO43-互為等電子體,空間構(gòu)型均為四面體
(5)固體YCl5的結(jié)構(gòu)實(shí)際上是Ycl4+和YCl6-構(gòu)成的離子晶體,其晶體結(jié)構(gòu)與CsCl相似.若晶胞邊長為apm,則晶胞的密度為
417×1030
a3NA
417×1030
a3NA
g?cm-3

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(2012?西安二模)鎳(Ni)是一種重要的金屬,在材料科學(xué)等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用.
(1)Ni在元素周期表中的位置是
第四周期,第Ⅷ族
第四周期,第Ⅷ族

(2)鎳易形成配合物,如:Ni(CO)4、[Ni(NH36]2+ 等.寫出一種與配體CO互為等電子體的陰離子
CN-、C22-
CN-、C22-
.配體NH3中N原子的雜化類型為
sp3
sp3
,它可用作致冷劑的原因是
液態(tài)氨汽化時(shí)需吸收大量的熱
液態(tài)氨汽化時(shí)需吸收大量的熱
.若[Ni(NH36]2+ 為正八面體構(gòu)型,則[Ni(CO)2(NH34]2+的結(jié)構(gòu)有
2
2
種.
(3)鎳常見化合價(jià)為+2、+3,在水溶液中通常只以+2 價(jià)離子的形式存在.+3價(jià)的鎳離子具有很強(qiáng)的氧化性,在水中會與水或酸根離子迅速發(fā)生氧化還原反應(yīng).Ni3+的電子排布式為
[Ar]3d7
[Ar]3d7
,NiO(OH)溶于濃鹽酸的化學(xué)方程式為
2NiO(OH)+6HCl(濃)=2NiCl2+Cl2↑+4H2O
2NiO(OH)+6HCl(濃)=2NiCl2+Cl2↑+4H2O

(4)鎳和鑭(
 
139
57
La
)組成的一種合金LaNix是較好的儲氫材料,能快速可逆地存儲和釋放H2.LaNix的晶胞如圖,其儲氫原理為:鑭鎳合金吸附H2,H2解離為原子,H儲存在其中形成LaNixH6.LaNixH6中,x=
5
5
.該貯氫的鑭鎳合金、泡沫氧化鎳、氫氧化鉀溶液組成的鎳氫電池被用于制作原子鐘,反應(yīng)原理為:
LaNixHy+y NiO(OH) 
放電
充電
LaNix+y NiO+y H2O.寫出其放電時(shí)負(fù)極的電極反應(yīng)方程式
LaNi5H6+6OH--6e-═LaNi5+6H2O
LaNi5H6+6OH--6e-═LaNi5+6H2O

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有關(guān)晶體的下列說法中不正確的是( 。
A、在NaCl晶體中,距Na+最近的Cl-形成正八面體B、在NaCl晶體中,每個晶胞平均占有4個Na+C、在CsCl晶體中,每個晶胞平均占有8個Cs+D、銅晶體為面心立方堆積,銅原子的配位數(shù)(距離一個銅原子最近的其它銅原子的個數(shù))為12

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下表是元素周期表的一部分.表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素.
a
b c d e f
g h i j k l m
n o

試回答下列問題:
(1)第三周期8種元素單質(zhì)熔點(diǎn)高低順序如圖1,其中序號“8”代表
Si
Si
(填元素符號);
(2)由j原子跟c原子以1:1相互交替結(jié)合而形成的晶體,晶型與晶體j相同.兩者相比熔點(diǎn)更高的是
SiC
SiC
(填化學(xué)式),試從結(jié)構(gòu)角度加以解釋:
因SiC晶體與Si晶體都是原子晶體,由于C的原子半徑小,SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵長短,鍵能大,因而熔沸點(diǎn)高
因SiC晶體與Si晶體都是原子晶體,由于C的原子半徑小,SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵長短,鍵能大,因而熔沸點(diǎn)高

(3)元素c的一種氧化物與元素d的一種氧化物互為等電子體,元素c的氧化物分子式是
CO2
CO2
,該分子是由
極性
極性
鍵構(gòu)成的
非極性
非極性
分子(填“極性”或“非極性”);元素d的氧化物的分子式是
N2O
N2O

(4)i單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如圖2甲所示(面心立體最密堆積),其晶胞特征如圖2乙所示.則晶胞中i原子的配位數(shù)為
12
12
,一個晶胞中i原子的數(shù)目為
4
4
;晶胞中存在兩種空隙,分別是
正四面體空隙
正四面體空隙
、
正八面體空隙
正八面體空隙

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(1)圖1所示一些晶體的結(jié)構(gòu)(晶胞),其中代表干冰的是
B
B
;
(2)MgO晶胞空間構(gòu)型與NaCl晶體相同,MgO晶體中Mg2+的配位數(shù)為
6
6
.與同個Mg2+等距且最近的O2-圍成的空間幾何構(gòu)型是
正八面體
正八面體
.MgO晶體熔點(diǎn)高于NaCl晶體,原因是
MgO晶體中離子的電荷數(shù)大于NaCl,離子間的平均距離小于NaCl
MgO晶體中離子的電荷數(shù)大于NaCl,離子間的平均距離小于NaCl
;
(3)若C、D代表某種元素中的兩種同分異構(gòu)體,C中原子的雜化類型是
sp3雜化
sp3雜化
,屬于
原子
原子
晶體.D中原子的雜化類型是
sp2雜化
sp2雜化
,D能導(dǎo)電的原因是
每個碳原子上未參與雜化的一個2p軌道上電子在層內(nèi)離域運(yùn)動(石墨中有自由電子)
每個碳原子上未參與雜化的一個2p軌道上電子在層內(nèi)離域運(yùn)動(石墨中有自由電子)
;
(4)原子晶體能否形成最密堆積結(jié)構(gòu)?
不能
不能
,原因是
共價(jià)鍵有飽和性且配位數(shù)遠(yuǎn)小于12
共價(jià)鍵有飽和性且配位數(shù)遠(yuǎn)小于12
;
(5)偏鈦酸鋇的熱穩(wěn)定性好,介電常數(shù)高,在小型變壓器、話筒和擴(kuò)音器中都有應(yīng)用.偏鈦酸鋇晶體中晶胞的結(jié)構(gòu)示意圖如
圖2所示,它的化學(xué)式是
BaTiO3
BaTiO3

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